特許
J-GLOBAL ID:200903033034722049
発光素子
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
藤谷 修
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-190069
公開番号(公開出願番号):特開平8-032116
出願日: 1994年07月19日
公開日(公表日): 1996年02月02日
要約:
【要約】【目的】窒化ガリウム系半導体発光素子において、発光素子の発光取り出し効率を向上させること。【構成】窒化ガリウム系発光素子100 で光の透過効率を最もよくする反射防止層(もしくは光を反射する反射層)を設けるために、また光を放射する側へ放射された光が反射で減衰することが反射防止層10で抑制されて(もしくは光取り出し側の反対側に放射される光が反射層で目的方向に放射され)、従来よりも発光素子の光が余分な方向に出なくなり、出力が無駄にならず、発光の効率を向上させることができる。
請求項(抜粋):
活性層をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅の層で挟んだダブルヘテロ接合構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光素子において、該発光素子が積層構造であり、該積層構造に垂直な方向に光を取り出す構成であって、該積層構造に、発光層からの光を反射する反射層もしくは反射防止層のいずれかを有することを特徴とする発光素子。
引用特許:
審査官引用 (8件)
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特開平2-288371
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発光ダイオード
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-222627
出願人:旭化成工業株式会社
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半導体発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-135220
出願人:旭化成工業株式会社
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