特許
J-GLOBAL ID：200903060523104150
表面弾性波素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-202114
公開番号（公開出願番号）：特開平9-051248
出願日： 1995年08月08日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：
【要約】【課題】 良好な伝搬速度V、電気機械結合係数K2 、周波数温度特性TCFを実現し、且つ、良好な伝搬損失をも実現することにより、高周波領域で優れた動作特性を有する表面弾性波素子を提供する。【解決手段】 本発明の表面弾性波素子は、(i)ダイヤモンド層と、(ii)ダイヤモンド層の上に形成されるZnO層と、(iii)ZnO層の上に形成される櫛型電極と、(iv)櫛型電極を覆ってZnO層の上に形成されるSiO2層とを備え、図1の領域ABCDEFGHIJKLMNOPQR内部にkh[ZnO]及びkh[SiO2 ]が含まれることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
(i)ダイヤモンド層と、(ii)前記ダイヤモンド層の上に形成されるZnO層と、(iii)前記ZnO層の上に形成される櫛型電極と、(iv)前記櫛型電極を覆って前記ZnO層の上に形成されるSiO2 層と、を備える表面弾性波素子であって、前記ZnO層の厚さtZ 及び前記SiO2 層の厚さtS に対し、2次モードの表面弾性波の波長λについてkh[ZnO]=2πtZ /λ、kh[SiO2 ]=2πtS /λで与えられるkh[ZnO]及びkh[SiO2 ]に関して、横軸にkh[ZnO]、縦軸にkh[SiO2 ]を与える2次元直交座標グラフにおいて、座標(kh[ZnO]=0.4,kh[SiO2 ]=0.55)で与えられる点Aと、座標(kh[ZnO]=0.6,kh[SiO2 ]=0.6)で与えられる点Bと、座標(kh[ZnO]=0.75,kh[SiO2 ]=0.63)で与えられる点Cと、座標(kh[ZnO]=0.88,kh[SiO2 ]=0.68)で与えられる点Dと、座標(kh[ZnO]=1.1,kh[SiO2 ]=0.8)で与えられる点Eと、座標(kh[ZnO]=1.3,kh[SiO2 ]=0.93)で与えられる点Fと、座標(kh[ZnO]=1.47,kh[SiO2 ]=1.03)で与えられる点Gと、座標(kh[ZnO]=1.61,kh[SiO2 ]=0.92)で与えられる点Hと、座標(kh[ZnO]=1.75,kh[SiO2 ]=0.77)で与えられる点Iと、座標(kh[ZnO]=1.82,kh[SiO2 ]=0.64)で与えられる点Jと、座標(kh[ZnO]=1.6,kh[SiO2 ]=0.54)で与えられる点Kと、座標(kh[ZnO]=1.41,kh[SiO2 ]=0.42)で与えられる点Lと、座標(kh[ZnO]=1.19,kh[SiO2 ]=0.35)で与えられる点Mと、座標(kh[ZnO]=1.03,kh[SiO2 ]=0.32)で与えられる点Nと、座標(kh[ZnO]=0.92,kh[SiO2 ]=0.28)で与えられる点Oと、座標(kh[ZnO]=0.8,kh[SiO2 ]=0.2)で与えられる点Pと、座標(kh[ZnO]=0.66,kh[SiO2 ]=0.3)で与えられる点Qと、座標(kh[ZnO]=0.53,kh[SiO2 ]=0.42)で与えられる点Rと、前記点Aとを順に線分で結ぶ、18本の線分から成る領域ABCDEFGHIJKLMNOPQRAの前記18本の線分を含む内部に、kh[ZnO]とkh[SiO2 ]とが与えられることを特徴とする表面弾性波素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H03H 9/25 C
, H03H 9/145 C
