特許

J-GLOBAL ID：200903060529575910

トレンチ型素子分離構造の製造方法およびトレンチ型素子分離構造

発明者： 堀田 勝之 ,  黒井 隆 ,  酒井 舞子
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-192269
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340950
出願日： 1997年07月17日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】 トレンチ型素子分離の埋込酸化膜のエッジ部において、くぼみの発生しないトレンチ型素子分離構造の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板に形成した溝内部の埋込酸化膜の周囲のみならず、シリコン基板表面より上部に突出した埋込酸化膜の側面にもCVD膜より耐エッチング性の高い熱酸化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に形成された溝に、上記シリコン基板表面から上方に突出した埋込酸化膜が熱酸化膜を介して埋め込まれたトレンチ型素子分離構造の製造方法であって、上記シリコン基板上に下敷酸化膜を介して非単結晶シリコン膜を形成した後、該非単結晶シリコン膜が、上記シリコン基板の溝壁部と連続する側壁部を有するように、上記非単結晶シリコン膜の表面から上記シリコン基板内に至る溝を形成する溝形成工程と、上記溝壁部を含む上記溝内部の表面および上記非単結晶シリコン膜の上記側壁部に熱酸化膜を形成する熱酸化工程と、上記熱酸化された側壁部を除く上記非単結晶シリコン膜を除去する除去工程とを含み、上記埋込酸化膜の上記シリコン基板表面より上方に突出した側面にも上記熱酸化膜が形成されるように上記埋込酸化膜を形成することを特徴とするトレンチ型素子分離構造の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-240043
  
• 基板分離トレンチを形成するための半導体処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-090106   出願人：ミクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-185790   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-240043