特許
J-GLOBAL ID:200903060553760788

半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-134773
公開番号(公開出願番号):特開2002-327044
出願日: 2001年05月02日
公開日(公表日): 2002年11月15日
要約:
【要約】【課題】 エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止した際に、半導体装置に発生するボイドをできるだけ少なくする方法を提供する。【解決手段】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促進剤及び無機充填材を少なくとも含む配合物を予備混合した後に、その混合物を粉砕機にかけて得られた粉砕物の粒度分布が、粒径250μm以上が10重量%以下、粒径150μm以上250μm未満が15重量%以下、粒径150μm未満が75重量%以上であり、次いでこの粉砕物を減圧条件下に保って溶融混練する半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法である。
請求項(抜粋):
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促進剤及び無機充填材を少なくとも含む配合物を予備混合した後に、その混合物を粉砕機にかけて得られた粉砕物の粒度分布が、粒径250μm以上が10重量%以下、粒径150μm以上250μm未満が15重量%以下、粒径150μm未満が75重量%以上であり、次いでこの粉砕物を減圧条件下に保って溶融混練することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法。
IPC (6件):
C08G 59/62 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (5件):
C08G 59/62 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 C ,  H01L 21/56 C ,  H01L 23/30 R
Fターム (46件):
4J002CC032 ,  4J002CC072 ,  4J002CD041 ,  4J002CD051 ,  4J002CD061 ,  4J002DE147 ,  4J002DJ007 ,  4J002DJ017 ,  4J002EU096 ,  4J002EU116 ,  4J002EW136 ,  4J002FD017 ,  4J002FD130 ,  4J002FD142 ,  4J002FD156 ,  4J002FD160 ,  4J002FD200 ,  4J002GQ05 ,  4J036AA01 ,  4J036AD07 ,  4J036AD08 ,  4J036AF06 ,  4J036AF08 ,  4J036AF09 ,  4J036DB05 ,  4J036DC39 ,  4J036DC41 ,  4J036DD07 ,  4J036FA01 ,  4J036FA04 ,  4J036FA05 ,  4J036FB08 ,  4J036JA07 ,  4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EA02 ,  4M109EB03 ,  4M109EB04 ,  4M109EB09 ,  4M109EB12 ,  4M109EC20 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061DE04
引用特許:
審査官引用 (2件)

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