特許

J-GLOBAL ID：200903060556607360

プラズマ処理方法

発明者： 荒瀬 高男 ,  吉開 元彦 ,  斉藤 剛 ,  坂口 正道 ,  石村 裕昭 ,  下村 隆浩
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社 日立インダストリイズ ,  日立笠戸エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-182306
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358119
出願日： 2000年06月13日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】シリコン窒化膜を有する試料の加工において、異方性な寸法精度のよい加工や、下地シリコン酸化膜との選択性に優れたプラズマ処理方法を提供するものである。【解決手段】シリコン窒化膜を有する試料の加工において、フッ素元素を含まない塩素ガスとアルミニウムの混合雰囲気をプラズマ化することで、シリコン酸化膜のエッチング速度を抑制し、優れた加工特性が得られる。

請求項（抜粋）：

真空容器とその中にプラズマを発生させる手段、及び該プラズマにより表面加工される試料を設置する試料台と、前記試料台に高周波バイアス電圧を印加するための電源からなるプラズマ処理装置を用い、ハロゲン元素を含むガスとアルミニウムの混合雰囲気をプラズマ化することによって、半導体基板上に堆積されたシリコン酸化膜上のシリコン窒化膜を前記シリコン酸化膜に対して選択的にエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。

Fターム (8件)：

5F004AA02 ,  5F004BA20 ,  5F004BB22 ,  5F004BB29 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DB07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒化珪素膜の反応性イオンエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-277161   出願人：住友金属工業株式会社