特許
J-GLOBAL ID：200903060561439301
プラズマ処理チャンバー内におけるエッジリング磨耗の補償のための方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
廣江 武典
, 武川 隆宣
, ▲高▼荒 新一
, 中村 繁元
, 西尾 務
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-537951
公開番号（公開出願番号）：特表2005-539397
出願日： 2003年09月16日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
プラズマ処理システムのプラズマ処理チャンバー内における、複数の基板の処理のための方法であって、前記それぞれの基板は、前記処理の間、チャック上に配置され、エッジリングに取り囲まれる。前記方法には、プラズマ処理チャンバー内において所定の処理方法に従い、複数基板のうち、一目の基板を処理する方法が含まれる。さらに、前記方法には、その後、プラズマ処理チャンバー内のプラズマシースと、エッジリングを介した前記チャックとの間において、静電容量経路に沿った静電容量の値を調整する方法が含まれる。さらに、前記方法には、調整後、プラズマ処理チャンバー内において、所定の処理方法に従い、複数基板のうち、二つ目の基板を処理することを含む方法であって、前記調整は、エッジリングの変更を必要としないで遂行する方法を含む。
請求項（抜粋）：
プラズマ処理システムのプラズマ処理チャンバー内において、複数の基板を処理する方法であって、前記基板のそれぞれは、前記処理の間、チャック上に配置されるとともに、エッジリングに取り囲まれており、
前記プラズマチャンバー内において所定の処理方法に従い前記複数の基板の第一の基板を処理することと、
前記プラズマ処理チャンバー内のプラズマシースと、前記エッジリングを介する前記チャックとの間における静電容量経路に沿った静電容量の値を所定の値だけ調整することと、
前記調整後、前記プラズマ処理チャンバー内において前記所定の処理方法に従い、前記複数の基板の第二の基板を処理することと、
を含むことを特徴とする方法。
IPC (4件)：
H01L21/3065
, C23C16/50
, H01J37/32
, H05H1/46
H01L21/302 101G
, C23C16/50
, H01J37/32
, H05H1/46 A
4K030CA04
, 4K030CA06
, 4K030CA12
, 4K030CA17
, 4K030FA01
, 4K030JA03
, 4K030KA08
, 4K030KA14
, 5F004AA01
, 5F004BB23
, 5F004BD04
, 5F004CA05
