プラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-372798
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176030
出願日： 2000年12月07日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】フォーカスリングを交換することなく、ウェハ外周部のエッチングレートを一定に保つ。【解決手段】フォーカスリング4が、下部電極2上の半導体基板3の外周部に配置される。センサ5は、フォーカスリング4の上面の位置を測定し、駆動機構6は、フォーカスリング4を上下に駆動する。制御部7は、センサ5の測定結果に基づいて、駆動機構6を駆動させてフォーカスリング4の上面の位置を所望の位置に調整する。

請求項（抜粋）：

半導体基板を保持する下部電極と、前記半導体基板の外周部に配置されるフォーカスリングと、前記フォーカスリングの上面の位置を測定するセンサと、前記フォーカスリングを上下に駆動する駆動機構と、前記センサの測定結果に基づいて、前記駆動機構を駆動させて前記フォーカスリングの上面の位置を調整する制御部と、を備えることを特徴とするプラズマエッチング装置。

Fターム (6件)：

5F004AA01 , 5F004BB23 , 5F004BC08 , 5F004DB01 , 5F004DB03 , 5F004DB14

引用特許：

審査官引用 (3件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-261353 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開平4-162623
処理装置及び処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-036436 出願人：東京エレクトロン株式会社

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