特許
J-GLOBAL ID:200903060564864569
消臭シート
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-160153
公開番号(公開出願番号):特開2000-342668
出願日: 1999年06月07日
公開日(公表日): 2000年12月12日
要約:
【要約】【課題】半導体製造工程の個々の装置内部に装備できるほど小型で、なおかつ安価なケミカル汚染を除去するシートを提供する。【解決手段】水に対して不溶性又は難溶性の4価金属リン酸塩、珪酸アルミニウム、ハイドロタルサイト化合物又はその焼成物、水和酸化ジルコニウム、酸化ジルコニウム、及びポリアミン担持非晶質二酸化ケイ素の中から選ばれる少なくとも一種の化合物からなる消臭剤を低発塵性の材料に担持させた消臭シート。
請求項(抜粋):
下記一般式〔1〕または〔2〕で示される水に対して不溶性又は難溶性の4価金属リン酸塩、一般式〔3〕で示される珪酸アルミニウム、ハイドロタルサイト化合物又はその焼成物、水和酸化ジルコニウム、酸化ジルコニウム、及びポリアミン担持非晶質二酸化ケイ素の中から選ばれる少なくとも一種の化合物からなる消臭剤を低発塵性の材料に担持させることを特徴とする消臭シート。【化1】Ha Mb Oc (PO4 )d ・nH2 O 〔1〕〔Mは4価金属であり、a、b、c及びdは式(a+4b=2c+3d)を満たす正数であり(但し、cは0であっても良い)、nは0又は正数である。〕【化2】 Ha' Ab' Bc' Md'Oe' (PO4 )f' ・nH2 O 〔2〕〔Aは1価金属であり、Bは2価金属であり、Mは4価金属であり、a'、b'、c'、e'及びnは0又は正数であって、bとcが共に0であることはなく、d'及びf'は正数であり、a'、b'、c'、d'、e'及びf'は式(a'+b'+2c'+4d'=2e'+3f')を満たす。〕【化3】Al203・nSiO2・mH2O 〔3〕但し、式中、nはn≧6の整数であり、mは整数を示す。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (20件):
4C002AA03
, 4C002BB05
, 4C002CC04
, 4C002DD12
, 4C002HH10
, 4C080AA03
, 4C080BB02
, 4C080BB10
, 4C080CC12
, 4C080HH05
, 4C080HH09
, 4C080JJ06
, 4C080KK08
, 4C080LL10
, 4C080MM01
, 4C080MM02
, 4C080MM03
, 4C080MM06
, 4C080NN24
, 4C080QQ03
引用特許:
審査官引用 (9件)
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脱臭性シ-ト
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-280614
出願人:富士化学工業株式会社, 白水化学工業株式会社
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半導体ウェハ用緩衝シート
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-309891
出願人:リンテック株式会社
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特開平3-038212
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