光検出器

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-240635
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093063
出願日： 1996年09月11日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】本発明は、製造工程を増やすこと無く遮光膜を取り入れることができ、さらに、バックゲート効果を均一もしくは無くすことができる光検出器を提供することを目的とする。【解決手段】光電変換膜を積層した画素電極を複数配列し、前記画素電極間に配置された信号線と、前記画素電極間に配置された走査線と、前記画素電極と信号線との間に配置され前記走査線によりオン・オフする薄膜トランジスタと、前記画素電極電位を読み取る信号読み出し回路と、前記走査線を駆動する走査線駆動回路で構成される光検出器において、薄膜トランジスタとして逆スタガ型薄膜トランジスタを用いた場合、画素電極としてのTi25と同一工程で、画素電極とは別に薄膜トランジスタの上層に遮光膜としてのTi25を形成して成る。

請求項（抜粋）：

光電変換膜を積層した画素電極を複数配列し、前記画素電極間に配置された信号線と、前記画素電極間に配置された走査線と、前記画素電極と信号線との間に配置され前記走査線によりオン・オフする薄膜トランジスタと、前記画素電極電位を読み取る信号読み出し回路と、前記走査線を駆動する走査線駆動回路で構成される光検出器において、薄膜トランジスタとして、逆スタガ型薄膜トランジスタを用いた場合、前記光電変換膜の下層画素電極と同一工程で、画素電極とは別に、薄膜トランジスタの上層に遮光膜を形成することを特徴とする光検出器。

IPC (3件)：

H01L 27/14 , H01L 27/146 , H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 27/14 K , H01L 27/14 C , H01L 29/78 613 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

画像読取装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-191234 出願人：富士ゼロックス株式会社
特開昭61-234560

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