特許
J-GLOBAL ID：200903060628294710
超平坦p型酸化物半導体NiO単結晶薄膜
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-254050
公開番号（公開出願番号）：特開2004-091253
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】従来のNiO薄膜は、多結晶体の集合体であり、表面の凹凸が大きい。そのため、例えば、NiO多結晶薄膜上にZnO薄膜を成長させても、ZnOの結晶性が悪くなり、ヘテロ接合を製造することができないという問題があった。【構成】気相成長法により成膜した多結晶p型酸化物NiO薄膜をアニールして単結晶としたことを特徴とするp型酸化物半導体NiO単結晶薄膜。原子レベルで平坦なテラスとサブナノメータ(nm)のステップから構成されている。室温の導電率が10-4S/cm以上であり、アクセプターとして含有させるLiの濃度を30at%以下で変化させることにより導電率を制御できる。基板温度を100°C以下に保持し、気相成長法により、耐熱性単結晶基板上に多結晶p型酸化物NiO薄膜を成膜し、次いで、600〜1500°Cでアニールして単結晶とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
気相成長法により成膜した多結晶p型酸化物NiO薄膜をアニールして単結晶としたことを特徴とするp型酸化物半導体NiO単結晶薄膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (25件)：
4G077AA03
, 4G077BB10
, 4G077DA03
, 4G077EA07
, 4G077ED06
, 4G077EE03
, 4G077FE03
, 4G077FE07
, 4G077FE11
, 4G077FE19
, 4G077HA02
, 4G077HA20
, 4G077SA04
, 5F103AA10
, 5F103BB22
, 5F103BB27
, 5F103DD30
, 5F103GG01
, 5F103HH10
, 5F103JJ01
, 5F103KK05
, 5F103LL02
, 5F103LL03
, 5F103LL20
, 5F103RR06
