フォトダイオード領域を埋め込んだイメージセンサ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：土井健二 , 林恒徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-077237
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261411
出願日： 2005年03月17日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】実質的な開口率を高くし且つ光感度を向上させたCMOSイメージセンサとその製造方法を提供する。【解決手段】フォトダイオードとリセットトランジスタとソースフォロワトランジスタとを有するピクセルを複数形成されるイメージセンサであって,各ピクセルは,フォトダイオードとリセットトランジスタとの間に電荷転送用のトランスファーゲートトランジスタを有し,リセットトランジスタとトランスファーゲートトランジスタとの接続ノードであるフローティング・ディフュージョン領域がソースフォロワトランジスタのゲートに接続される。そして,各ピクセルのリセットトランジスタ及びソースフォロワトランジスタが形成されるウエル領域の下に,フォトダイオード領域が埋め込まれる。さらに,フォトダイオード領域は,フローティング・ディフュージョン領域の少なくとも一部領域の下には形成されていない。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

少なくともフォトダイオードとトランスファーゲートトランジスタとリセットトランジスタとソースフォロワトランジスタとをそれぞれ有するピクセルを複数有するイメージセンサであって, 前記ピクセルでは,前記トランスファーゲートトランジスタとリセットトランジスタとの接続ノードであるフローティング・ディフュージョン領域が,前記ソースフォロワトランジスタのゲートに接続され, 前記リセットトランジスタ及びソースフォロワトランジスタの下に埋め込まれたフォトダイオード領域を有し,当該フォトダイオード領域は,前記フローティング・ディフュージョン領域の少なくとも一部領域の下を除いて形成されていることを特徴とするイメージセンサ。

IPC (2件)：

H01L 27/146 , H04N 5/335

FI (3件)：

H01L27/14 A , H04N5/335 E , H04N5/335 U

Fターム (28件)：

4M118AA01 , 4M118AA03 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA04 , 4M118CA18 , 4M118DA32 , 4M118DB09 , 4M118DD04 , 4M118DD12 , 4M118EA01 , 4M118EA03 , 4M118EA15 , 4M118EA16 , 4M118FA06 , 4M118FA27 , 4M118FA28 , 4M118FA29 , 4M118FA33 , 4M118GB06 , 4M118GB11 , 4M118GC08 , 5C024CX41 , 5C024CY47 , 5C024GX03 , 5C024GX16 , 5C024GY31 , 5C024HX01

引用特許：

出願人引用 (1件)

CMOSイメージセンサー及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-113781 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター

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