特許
J-GLOBAL ID：200903041872526890

CMOSイメージセンサー及びその製造方法

発明者：
李 瑞 圭

李 瑞 圭 について

, 
金 恒 圭

金 恒 圭 について

, 
申 正 淳

申 正 淳 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (1件)： 笹島 富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-113781
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016243
出願日： 2001年04月12日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】【課題】 フォトダイオード領域を、部分的にポテンシャルレベルの差を有するようにして、トランスファゲート等が形成されるアクティブ領域の下側にまで拡張形成することで感度が向上するようにしたCMOSイメージセンサー及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板51上の第1領域及び第2領域を含むエピタキシャル層52内に、前記第1領域の表面からバルク部分に垂直方向に形成される第1PDN領域と、第1PDN領域に連続して第1領域のバルク部分から第2領域のバルク部分に水平方向に拡張形成される第2PDN領域とからなるPDN領域53が形成され、また、前記第2PDN領域にオーバーラップされ、第2領域の表面内に形成されるフローティングディフュージョン領域である高濃度不純物領域57と、リセット領域である高濃度不純物領域59とが形成される。
請求項（抜粋）：
第1領域と該第1領域に隣接した第2領域とを有して単位セル領域が構成され、前記第1領域の表面からバルク部分に垂直方向に形成される第1PDN領域と、該第1PDN領域に連続して、前記第1領域のバルク部分から前記第2領域のバルク部分に水平方向に拡張形成される第2PDN領域とからなるPDN領域と、前記第2PDN領域にオーバーラップされ、前記第2領域の表面内に形成されるフローティングディフュージョン領域及びリセット領域と、を含むことを特徴とするCMOSイメージセンサー。
IPC (4件)：
H01L 27/146 ,  H01L 21/265 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335
FI (6件)：
H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/265 H ,  H01L 31/10 E
Fターム (21件)：
4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118FA33 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5F049MA04 ,  5F049NA01 ,  5F049NA11 ,  5F049NA12 ,  5F049NB03 ,  5F049PA10 ,  5F049QA09 ,  5F049QA20
引用特許：
審査官引用 (9件)
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