特許

J-GLOBAL ID：200903060665954275

静電駆動型MEMS素子とその製造方法、光学MEMS素子、光変調素子、GLVデバイス及びレーザディスプレイ

発明者： 池田 浩一 ,  木下 隆
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 角田 芳末 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-144981
公開番号（公開出願番号）：特開2003-340795
出願日： 2002年05月20日
公開日（公表日）： 2003年12月02日
要約：

【要約】【課題】 静電駆動型MEMS素子を構成するビームの平坦化を図り、或いはビーム形状の安定化、均一化を図る。【解決手段】 基板側電極33と、基板側電極33に対向して配置され、駆動側電極37を有して両端部分が支持されたビーム36とを備え、ビーム36の両端部分に夫々少なくとも2つの支持部35A,35B、及び35C,35Dを有し、該支持部35のうち、内側の支持部35B,35Cの高さt1 が外側の支持部35A,35Dの高さt2 より低く設定されて成る。

請求項（抜粋）：

基板側電極と、前記基板側電極に対向して配置され、駆動側電極を有して両端部分が支持されたビームとを備え、前記ビームの両端部分に夫々少なくとも2つの支持部を有し、該支持部のうち、内側の支持部の高さが外側の支持部の高さより低く設定されて成ることを特徴とする静電駆動型MEMS素子。

IPC (7件)：

B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  G02B 26/08 ,  G02B 27/18 ,  H01S 3/10 ,  H01S 3/101 ,  H02N 1/00

FI (7件)：

B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  G02B 26/08 J ,  G02B 27/18 Z ,  H01S 3/10 A ,  H01S 3/101 ,  H02N 1/00

Fターム (14件)：

2H041AA23 ,  2H041AB38 ,  2H041AC06 ,  2H041AZ01 ,  2H041AZ08 ,  5F072FF08 ,  5F072JJ01 ,  5F072KK05 ,  5F072MM03 ,  5F072MM07 ,  5F072MM12 ,  5F072RR03 ,  5F072TT13 ,  5F072YY20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 可変容量コンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-036189   出願人：株式会社村田製作所
• インクジェットヘッド構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-224687   出願人：株式会社リコー
• 光学多層構造体および光スイッチング素子、並びに画像表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-219599   出願人：ソニー株式会社