特許

J-GLOBAL ID：200903060686992240

半導体装置の製造方法

発明者： 梶 成彦 ,  青木 利一郎 ,  遠山 裕之 ,  江川 秀光 ,  吉田 貴光 ,  西山 幸男
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-003549
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211708
出願日： 1994年01月18日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】下地素子を劣化することなく被覆性の良好な弗素を含有する酸化珪素膜をプラズマCVD法により形成することである。【構成】 第1の高周波電力源12及び第2の高周波電力源13から2周波の高周波電力が印加される上部電極14と、下部電極15とを有する平行平板型のプラズマCVD装置を用い、少なくとも有機珪素化合物、弗素炭素化合物と酸素を含みかつ弗素/珪素元素比を15以上とする原料ガスをチャンバ11内に導入して、基板30上に弗素を含有する酸化珪素膜を形成する。

請求項（抜粋）：

周波数の異なる複数の高周波電力が印加される上部電極と、該上部電極と対向するように設けられかつ基板を載置する下部電極とを有するプラズマCVD装置を用い、少なくとも有機珪素化合物、弗素炭素化合物と酸素を含み、かつ弗素/珪素元素比を15以上とする原料ガスを上記プラズマCVD装置に導入し、上記基板上に弗素を含有する酸化珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-086366   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド