特許
J-GLOBAL ID：200903060702286806
ITO粉体およびその製造方法、ITO塗料、並びにITO導電膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
阿仁屋 節雄
, 清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-058569
公開番号（公開出願番号）：特開2007-238337
出願日： 2006年03月03日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：
【課題】導電性が高く、大気中であっても導電性の経時変化の少ないITO導電膜を成膜できるITO粉体を提供する。【解決手段】スズ含有水酸化インジウムを焼成炉内に設置し、アンモニアを0.5%含有する窒素雰囲気下で550〜1000°C、10min〜6hr焼成して1次粒子径が20nm以上、200nm以下のITO粉体を製造し、一方、これと同様だが、焼成時間の制御により、当該1次粒子径が1nm以上、20nm以下のITO粉体を製造する。そして、当該1次粒子径が1nm以上、20nm以下のITO粉体と、1次粒子径が20nm以上、200nm以下のITO粉体とを、所定の割合で混合して本発明に係るITO粉体を得る。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
透明導電膜の形成に用いられるITO粉体であって、
当該ITO粉体に含まれるITOの1次粒子のうち、当該1次粒子径が1nm以上、20nm以下のものの存在割合をAwt%、当該1次粒子径が20nmを超え、100nm以下のものの存在割合をBwt%としたとき、3≦A≦50、且つ、50≦B≦97、(但し、A+B≦100)であり、
且つ、当該1次粒子径において95%粒子径を与える粒子径値と、5%粒子径を与える粒子径値との差が30nm以上であり、
且つ、当該1次粒子の最大粒子径が200nm以下であることを特徴とするITO粉体。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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