特許

J-GLOBAL ID：200903060713616611

プラズマCVD装置

発明者： 塚本 剛史 ,  平木 純一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-308993
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138169
出願日： 1998年10月29日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 パーティクルの発生を防止し、かつフッ素を含有しない薄膜を形成して電気的特性の良好な半導体デバイスを製造できるプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 プラズマCVD装置は、反応室内部に対向配置されたシャワープレート電極13、ステージ電極を備え、その電極間に高周波電圧を印加しながら原料ガスを導入して、基板上に成膜を行う。シャワープレート電極13の全面にアルミナ膜31が形成されるので、フッ素による腐食が発生しにくく、パーティクルの発生を防止することができる。フッ素が付着し易い噴出孔17の内面17aのアルミナ膜31上にニッケル膜32が形成されるので、フッ素の付着を防止することができる。

請求項（抜粋）：

反応室内部に対向配置された複数の電極を備え、その電極間に高周波電圧を印加しながら原料ガスを導入して、基板上に成膜を行うプラズマCVD装置において、電極は原料ガスを反応室内に噴出する噴出孔を有し、電極の全面にアルミナ膜が形成され、噴出孔の内面のアルミナ膜上にニッケル膜が形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/503 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 A ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 M

Fターム (32件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA30 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030FA03 ,  4K030KA17 ,  4K030KA30 ,  4K030KA47 ,  5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045BB15 ,  5F045BB16 ,  5F045EB06 ,  5F045EF05 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH08 ,  5F045EH14 ,  5F045EK07

引用特許：

出願人引用 (2件)

• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-327521   出願人：株式会社東芝
• プラズマCVD装置のクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-289931   出願人：日本真空技術株式会社