特許

J-GLOBAL ID：200903060726174103

パワーMOSFET回路

発明者： 斉藤 浩徳 ,  清田 茂之
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-076539
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261064
出願日： 1998年03月10日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】電圧制限回路の設けられたパワーMOSFETの耐圧を測定する。【解決手段】ゲートに端子8を接続したディプレッション型MOSFET6とアクティブクランプとしての電圧制限回路5を、パワーMOSFET4のドレイン-ゲート間に直列接続する。パワーMOSFET4による負荷駆動時には、端子8を開放にしてMOSFET6をノーマリーオン状態にし、サージ等の過電圧が発生すると、パワーMOSFET4のドレイン-ソース間を電圧制限回路5でクランプする。耐圧測定時には、端子8に所定電圧を印加してMOSFET6をオフ、電圧制限回路5を動作不可状態にし、オフ状態のパワーMOSFET4のドレインにシンク電流を注入したときのドレイン-ソース間降伏電圧を測定する。

請求項（抜粋）：

負荷駆動用のパワーMOSFETと、前記パワーMOSFETのゲート-ドレイン間に直列接続されたアクティブクランプとしての電圧制限回路及び開閉素子と、前記パワーMOSFETのゲートに電気的に接続された第1の信号入力端子と、前記開閉素子にオン・オフ制御するための信号を供給する第2の信号入力端子と、を備えることを特徴とするパワーMOSFET回路。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (3件)：

H01L 29/78 657 E ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/08 102 F

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-318370   出願人：日本電装株式会社