特許
J-GLOBAL ID:200903060732300064

ZnS焼結体およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-217066
公開番号(公開出願番号):特開2007-031208
出願日: 2005年07月27日
公開日(公表日): 2007年02月08日
要約:
【課題】 低圧、短時間で焼結が可能なZnS焼結体の製造方法を提供する。また、遠赤外線領域で高い光透過率を有するZnS焼結体を提供する。【解決手段】 本発明のZnS焼結体は、ZnSの含有率が99.2質量%以上であり、IA族原子からなる化合物を0.8質量%以下含有する焼結体であって、平均粒径が1μm以下で、アルキメデス法による密度が98%以上であることを特徴とする。このZnS焼結体は、破壊強度が120MPa以上のものが好ましく、また、波長10μmの赤外線による光透過率が70%以上であるものが好適である。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
ZnSの含有率が99.2質量%以上であり、IA族原子からなる化合物を0.8質量%以下含有する焼結体であって、平均粒径が1μm以下で、アルキメデス法による密度が98%以上であることを特徴とするZnS焼結体。
IPC (1件):
C04B 35/547
FI (1件):
C04B35/00 T
Fターム (9件):
4G030AA55 ,  4G030AA56 ,  4G030AA67 ,  4G030BA15 ,  4G030CA04 ,  4G030GA11 ,  4G030GA24 ,  4G030GA27 ,  4G030GA29
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献:
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