特許

J-GLOBAL ID：200903060802122487

樹脂封止型半導体装置

発明者： 上村 和義
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-014972
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213840
出願日： 1996年01月31日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【目的】 超高周波用の能動素子の高周波特性が劣化するのを防止する。【構成】 リード3の、半導体チップ6の能動素子形成領域に対向する部分に凹部3aを形成しておく。半導体チップ6の電極をメタルバンプ5によりリード1〜3に接続する。トランスファモールド法等によりモールド樹脂部材12にて樹脂封止を行う。この樹脂封止時において、凹部3a内にはここに存在している空気のために樹脂が充填されることはない。

請求項（抜粋）：

リードフレームのリード上に半導体チップがフェースダウン方式にて搭載され、前記半導体チップがモールド樹脂により封止されている樹脂封止型半導体装置において、一部のリードには凹部が設けられ、前記半導体チップはその活性部分が前記凹部に対向するようにリード上に搭載されており、かつ、該活性部分上が中空になされていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/04

FI (4件)：

H01L 23/28 A ,  H01L 21/56 H ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/04 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-046358
  
• 特開平2-109410
  
• 半導体製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-125263   出願人：ソニー株式会社