特許
J-GLOBAL ID：200903060814574227
不揮発性半導体記憶装置及びその消去方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-242390
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083492
出願日： 1994年09月12日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】一括消去型EEPROMを用いた記憶装置の一括消去処理時間を短縮する。【構成】消去パルス印加回数記憶手段(7)は前回の一括消去処理時の単位消去時間の第1の消去信号(22)の印加回数を記憶し、消去パルス印加回数計数手段(5)は第1の制御手段(2)が第1の消去信号(22)を出力するための消去制御信号(18)の出力回数を計数し、比較手段(6)は消去パルス印加回数記憶手段(7)と消去パルス印加回数計数手段(5)の値が一致する時一致信号を出力する。第1の制御手段(2)は一括消去開始時に計数手段(5)を初期化し、一致信号が入力されるまで、消去制御信号(5)の出力を繰り返し、その後は消去制御信号(5)の出力と一括消去型EEPROM(1)の消去状態のチェックを消去完了まで繰り返し、最後に消去パルス印加回数計数手段(5)の値を消去パルス印加回数記憶手段(7)に格納する。
請求項（抜粋）：
一括消去型EEPROMを有する不揮発性半導体記憶装置において、前記一括消去型EEPROMの前回の一括消去に要した消去信号の印加時間を記憶する記憶手段と、一括消去の際に、前記記憶手段に記憶された前記消去信号印加時間までは前記一括消去型EEPROMの記憶セルの消去状態チェックを行わずに連続して消去信号を前記一括消去型EEPROMに印加し、前記消去信号印加時間が経過した後は、予め定めた単位消去時間の間消去信号を印加する処理と記憶セルの消去状態をチェックする処理とを繰り返し、全記憶セルの消去状態となった時点で一括消去処理を終了すると共に、今回の消去信号印加時間を前記記憶手段に格納する、ように制御する制御手段と、を有する不揮発性半導体記憶装置。
引用特許：
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