特許

J-GLOBAL ID：200903060817331961

半導体ポリシリコン層のドーピング方法とこれを用いたPMOSFET製造方法

発明者： ヒュンサング ハワング
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-081193
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226510
出願日： 1994年04月20日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置のPMOSFET素子の製造方法において、単純化した工程で、かつ、しきい電圧を安定化させるP+ゲート用のポリシリコン層のドーピング方法を実現する。【構成】 シリコン基板11の上にゲート酸化膜12を成長させ、その上にゲート用のポリシリコン層を蒸着し、これを窒素化合物ガスの雰囲気中において熱処理し、上記ポリシリコン層をパターニングとエッチングとによりゲート電極13に形成し、さらに、ここにBF2イオンを打込んでP+ゲートとソース/ドレイン領域とを同時に形成する。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板上にポリシリコン層を形成する工程と、(b)上記ポリシリコン層を窒素化合物のガス雰囲気中において熱処理する工程と、(c)上記熱処理されたポリシリコン層にイオン打込みにより硼素イオンをドーピングする工程とよりなることを特徴とする半導体ポリシリコン層のドーピング方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/265 P ,  H01L 21/265 W ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-025176
  
• 特開昭54-008457
  
• 特開平4-133428
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-284351   出願人：セイコーエプソン株式会社