窒素化合物半導体の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-030669
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228539
出願日： 1999年02月08日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】基板と成長を行った窒素化合物半導体の間のアモルファス状窒素化合物半導体層に空孔を設けることにより、窒素化合物半導体の欠陥密度を低減する。【解決手段】基板上に窒素化合物半導体を形成する方法である。窒素化合物半導体のエピタキシャル成長が行われる温度よりも低い温度で、基板上にアモルファス状の窒素化合物半導体層を形成する工程、その後昇温し、窒素化合物半導体のエピタキシャル成長を行う工程、及び窒素化合物半導体を成長後、降温することにより、基板と成長を行った窒素化合物半導体の間のアモルファス状窒素化合物半導体層に空孔を設ける工程、を包含する。

請求項（抜粋）：

基板上に窒素化合物半導体を形成する方法であって、窒素化合物半導体のエピタキシャル成長が行われる温度よりも低い温度で、基板上にアモルファス状の窒素化合物半導体層を形成する工程、その後昇温し、窒素化合物半導体のエピタキシャル成長を行う工程、及び該窒素化合物半導体を成長後、降温することにより、基板とエピタキシャル成長を行った窒素化合物半導体の間のアモルファス状の窒素化合物半導体層に空孔を設ける工程、を包含する窒素化合物半導体の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

Fターム (33件)：

5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DP03 , 5F045DQ04 , 5F045DQ06 , 5F045DQ08 , 5F045EC02 , 5F045EE12 , 5F045EJ04 , 5F045EK27

引用特許：

審査官引用 (7件)

化合物半導体エピタキシャルウエハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-282524 出願人：昭和電工株式会社
特開平2-229476
特開平4-297023

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