ハイブリッドモジュール及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田精孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-081821
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284297
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】回路部品の半田付けが良好であり信頼性に優れたハイブリッドモジュール及びその製造方法を提供する。【解決手段】内層及び表層の配線用導体111がAg系導体材料によって形成されたセラミックグリーンシートを所定数積層して焼成した後に、表層の配線用導体111の半田付け部分(ランド112)のみにCu系導体材料膜113を形成して焼成することによりセラミック多層回路基板11となし、回路基板11上に回路部品を半田付け実装することによりハイブリッドモジュールが作成される。この製造方法では、Ag系導体材料を中性若しくは酸化雰囲気中で焼成した後に、Cu系導体材料を中性若しくは還元雰囲気中で焼成しているので、Cu系導体材料の酸化を防止できる。さらに、内層及び表層の配線用導体111を同時に焼成することができるため工数の削減及びコストの低減が図れる。

請求項（抜粋）：

回路基板と、該回路基板に形成された配線用導体と、該回路基板上に半田付け実装された回路部品とを備え、親回路基板上に実装して使用されるハイブリッドモジュールにおいて、前記配線用導体は銀(Ag)系材料からなると共に前記回路基板表面の半田付け部分のみが前記銀(Ag)系材料の表面に銅(Cu)系導体材料膜が形成されていることを特徴とするハイブリッドモジュール。

IPC (3件)：

H05K 1/09 , H01L 25/00 , H05K 3/46

FI (5件)：

H05K 1/09 C , H01L 25/00 B , H05K 3/46 S , H05K 3/46 H , H05K 3/46 Q

引用特許：

審査官引用 (12件)

低温焼成回路基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-014906 出願人：京セラ株式会社
特開昭62-265796
低温焼成多層回路基板外部導体用ペースト
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-287558 出願人：旭化成工業株式会社

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