特許
J-GLOBAL ID：200903060848140943
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-287720
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122632
出願日： 1993年10月22日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】 多層配線構造を有する半導体装置の下層配線段差部で生じる上層配線の短絡を解決し、有効な半導体装置を提供する。【構成】 第1の配線(1)の段差部の上を通過する複数本の第2の配線(2)の間の第1の配線形状に突起(4)を設ける。これによって、第1の配線(1)の段差部の長さを大きくすることができ、第2の配線(2)の短絡する可能性を低減させることができ、有効な半導体装置を提供することができる。
請求項（抜粋）：
多層配線構造を有する半導体装置内に配線された第1の配線とその上層を交差する複数本の第2の配線において、前記第1の配線の段差上を通過する複数本の第2の配線間の下層の第1の配線平面形状に突起又は切込を設け、第2の配線間に延存する下層の段差の長さを大きくすることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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