特許
J-GLOBAL ID:200903060858773952

磁歪検出型力センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 木森 有平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-013681
公開番号(公開出願番号):特開2005-207841
出願日: 2004年01月21日
公開日(公表日): 2005年08月04日
要約:
【課題】 極めて簡便な構成且つ低廉なコストで製造可能でありながらも、検出感度を向上させ、広い歪み応力変化域をカバーすることができる磁歪検出型力センサを提供する。【解決手段】 磁歪検出型力センサは、歪み応力若しくは撓み応力又は振動力Fが作用する測定面としての低硬度基板1と、この低硬度基板1と接して設置され、当該低硬度基板1に加えられた応力が伝達される磁歪素子2と、この磁歪素子2の低硬度基板1に接している面とは反対側の面に設置された磁石板3と、磁歪素子2による透磁率の変化を検出する磁歪検出コイル4、この磁歪検出コイル4が巻回されたコイルボビン枠5と、少なくとも磁歪素子2を覆うように設けられる磁気ヨーク6とを備える。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
磁歪素子を用いて応力を検出する磁歪検出型力センサにおいて、 応力が作用する測定面としての低硬度基板と、 上記低硬度基板と接して設置され、当該低硬度基板に加えられた応力が伝達される磁歪素子と、 上記磁歪素子による透磁率の変化を検出する磁歪検出手段とを備えること を特徴とする磁歪検出型力センサ。
IPC (1件):
G01L1/12
FI (1件):
G01L1/12
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 磁歪検出型力センサ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-288218   出願人:三洋電機株式会社
  • 磁歪検出型力センサ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-288219   出願人:三洋電機株式会社

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