特許
J-GLOBAL ID：200903060863601973
窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-043195
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242061
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 青色半導体レーザや青色発光ダイオードにおいて動作電圧を低減できるだけでなく、動作中における動作電圧の上昇の防止や、動作中での発光効率の低下を抑制でき、ひいては信頼性の高い素子を実現することを可能とする。【解決手段】 本発明は、p型不純物をドープした窒化ガリウム系半導体層を有機金属化合物気相成長法を用いて成長する最中、あるいは、該窒化ガリウム系半導体層の成長後に、該窒化ガリウム系半導体層を高温の状態において赤外線を該窒化ガリウム系化合物半導体層に照射する工程を含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
p型不純物をドープした窒化ガリウム系半導体層を有機金属化合物気相成長法を用いて成長する最中、あるいは、該窒化ガリウム系半導体層の成長後に、該窒化ガリウム系半導体層を高温の状態において赤外線を該窒化ガリウム系化合物半導体層に照射する工程を含むことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, H01L 21/26
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
, H01L 21/26 E
