半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-319166
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211634
出願日： 1994年11月28日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】結晶化を助長する触媒元素を用いて、550°C程度、4時間程度の加熱処理で結晶性珪素を得る方法において、触媒元素の導入量を精密に制御する。【構成】下地の酸化珪素膜12が形成されたガラス基板11上にニッケル等の触媒元素を10〜200ppm(要調整)添加した酢酸塩溶液等の水溶液13を滴下する。この状態で所定の時間保持し、スピナー15を用いてスピンドライを行なう。そして、非晶質珪素膜14をプラズマCVD法で形成し、550°C、4時間の加熱処理を行なうことにより、結晶性珪素膜を得る。

請求項（抜粋）：

結晶性を有する珪素膜を利用して活性領域が絶縁表面を有する基板上に構成された半導体装置であって、前記活性領域は、非晶質珪素膜の下面に接して該珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を溶媒に解かして保持させ、加熱処理を施すことにより形成されたものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭63-142807
特開平3-280420
特開平2-260524

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