特許

J-GLOBAL ID：200903060871892847

不揮発性半導体記憶装置及び半導体装置

発明者： 青木 章英
出願人/特許権者： 三菱電機セミコンダクタソフトウエア株式会社 ,  三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-252093
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115598
出願日： 1994年10月18日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】 メモリセルの揮発が判る不揮発性半導体記憶装置及び該不揮発性半導体記憶装置を用いた半導体装置の提供。【構成】 差動アンプ6等からなるセンスアンプのセンス特性を変更するセンス特性変更回路9と、センス特性の変更前にセンスアンプにより読み出したデータのレベル及びセンス特性の変更後にセンスアンプにより読み出したデータのレベルを比較するEXOR回路12と、EXOR回路12の比較結果を出力する揮発検出端子13とを備える。

請求項（抜粋）：

メモリセルのデータをセンスアンプにより増幅して読み出す不揮発性半導体記憶装置において、前記センスアンプのセンス特性を変更する特性変更部と、前記センス特性の変更前にセンスアンプにより読み出したデータのレベル及びセンス特性の変更後にセンスアンプにより読み出したデータのレベルを比較してメモリセルの揮発の有無を判別する揮発判別部と、該揮発判別部の判別結果を出力する端子とを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G11C 29/00 303

FI (2件)：

G11C 17/00 309 E ,  G11C 17/00 520 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電気的消去及び書込み可能ROM
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-288826   出願人：富士通株式会社
• 特開平3-222196
  
• 特開平3-222196