特許
J-GLOBAL ID：200903060872612899

半導体装置およびその製造方法

発明者：
市川 武史

市川 武史 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (4件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  岩田 慎一 ,  緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-377613
公開番号（公開出願番号）：特開2006-030158
出願日： 2004年12月27日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】小さなダイヤフラムサイズであっても高感度の半導体装置を提供する。【解決手段】半導体圧力センサ1は、ダイヤフラム3が形成されたSOI基板2と、SOI基板2上に設けられた4つのピエゾ抵抗素子R1〜R4とを有する。各ピエゾ抵抗素子R1〜R4のうち互いに対向する2つのピエゾ抵抗素子R1〜R4は、その全長をL、ダイヤフラム3の内側からエッジまで長さをLeffとしたとき、0.5<Leff/L<1なる関係を満たすように、ダイヤフラム3の内側と外側とに跨って配置されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ダイヤフラム部を有する半導体基板に1つ以上の歪み検出素子が設けられた半導体装置において、 前記歪み検出素子の少なくとも1つは、前記ダイヤフラム部に第1の端部を有し、前記歪み検出素子の全長をL、前記歪み検出素子の前記第1の端部からダイヤフラム部のエッジまでの長さをLeffとしたとき、 0.5<Leff/L<1 なる関係を満たすように、前記ダイヤフラム部の内側と外側とに跨って配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
G01L 9/00 ,  G01C 19/56 ,  G01L 1/18 ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/12 ,  H01L 29/84
FI (7件)：
G01L9/00 303E ,  G01C19/56 ,  G01L1/18 A ,  G01P9/04 ,  G01P15/12 D ,  H01L29/84 A ,  H01L29/84 B
Fターム (32件)：
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF11 ,  2F055GG16 ,  2F105BB02 ,  2F105BB13 ,  2F105CD02 ,  2F105CD11 ,  4M112AA01 ,  4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA04 ,  4M112CA09 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA29 ,  4M112DA03 ,  4M112DA06 ,  4M112DA09 ,  4M112DA10 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112EA18 ,  4M112FA01
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体圧力センサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-016381   出願人：松下電工株式会社

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