特許
J-GLOBAL ID：200903060879728159
半導体装置及びその製造方法、基板、回路基板並びに電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-006218
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209139
出願日： 2002年01月15日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の性能を良好に保つとともに、半導体チップを破損させることなく実装する。【解決手段】 半導体装置11は、基板12と半導体チップ13とによって構成され、基板12は、ベース基板14及び酸化膜15、配線16を備える。配線16には貫通孔17が設けられており、酸化膜15には貫通孔17と相対向する位置に酸化膜側貫通孔18を備える。また、ベース基板14には貫通孔18と重なる位置に嵌合凹部19が形成されている。そして、半導体チップ13の能動面21には電極22が設けられ、電極22にはバンプ23が突設されている。半導体チップ13は、バンプ23を貫通孔17に対向させた状態で基板12に載置され、低加圧で基板12側に押圧される。すると、半導体チップ13のバンプ23が変形して貫通孔17,18を貫通して、嵌合凹部19内に押し込まれ、半導体チップ13が基板12に対して固定されると同時に電気的に接続される。
請求項（抜粋）：
一方の面に配線を有した基板に対して、バンプを備えた半導体チップが、そのバンプを介して前記配線に電気的に接続されるように実装されて構成される半導体装置において、前記配線には、貫通孔が形成され、前記基板には、前記貫通孔と連通するようにしてバンプ嵌合孔が形成され、前記バンプは、前記貫通孔を貫通した状態で前記バンプ嵌合孔に嵌合されていることを特徴とする半導体装置。
Fターム (4件)：
5F044KK17
, 5F044KK25
, 5F044LL15
, 5F044RR19
