化学増幅型レジストパターン用表面処理剤及びパターン形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-320506
公開番号（公開出願番号）：特開2003-122018
出願日： 2001年10月18日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【解決手段】基板上に0.25μm以下のレジストパターンを形成する前に基板に塗布して基板とレジストパターンとの密着を増強させる化学増幅型レジストパターン用表面処理剤であって、下記平均組成式(1)で示される化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とする化学増幅型レジストパターン用表面処理剤。 R1aR2b(OX)cSiO(4-a-b-c)/2 (1) (式中、R1は-(CH2)nY基であり、Yはアクリロキシ基、メタクリロキシ基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メルカプト基又はイソシアナート基を示し、nは0〜4の整数である。R2は炭素数1〜4の一価炭化水素基、Xは水素原子又は炭素数1〜4の一価炭化水素基を示す。aは1〜2、bは0〜1、cは0〜2の数であり、a+b+c≦4である。)【効果】本発明によれば、基板と化学増幅型フォトレジスト膜との密着性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

基板上に0.25μm以下のレジストパターンを形成する前に基板に塗布して基板とレジストパターンとの密着を増強させる化学増幅型レジストパターン用表面処理剤であって、下記平均組成式(1)で示される化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とする化学増幅型レジストパターン用表面処理剤。 R1aR2b(OX)cSiO(4-a-b-c)/2 (1) (式中、R1は-(CH2)nY基であり、Yはアクリロキシ基、メタクリロキシ基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メルカプト基又はイソシアナート基を示し、nは0〜4の整数である。R2は炭素数1〜4の一価炭化水素基、Xは水素原子又は炭素数1〜4の一価炭化水素基を示す。aは1〜2、bは0〜1、cは0〜2の数であり、a+b+c≦4である。)

IPC (6件)：

G03F 7/11 503 , C08G 77/04 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , G03F 7/09 501 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/11 503 , C08G 77/04 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , G03F 7/09 501 , H01L 21/30 563

Fターム (30件)：

2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB52 , 2H025CC20 , 2H025DA35 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J035BA04 , 4J035BA14 , 4J035CA01N , 4J035CA052 , 4J035CA062 , 4J035CA112 , 4J035CA132 , 4J035CA142 , 4J035CA212 , 4J035CA262 , 4J035LB02 , 4J035LB16 , 5F046HA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

レジストパターン用表面処理剤及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-021103 出願人：信越化学工業株式会社
特開昭58-188132
マイクロエレクトロニクス用途のための非アミン系フォトレジスト密着促進剤
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-516961 出願人：コンプレツクスフルイツドシステムズ,インコーポレーテツド

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