特許

J-GLOBAL ID：200903020073986148

マイクロエレクトロニクス用途のための非アミン系フォトレジスト密着促進剤

発明者： ピーターソン,ウイリアム アール. ,  ストーフア,クレイグ エム.
出願人/特許権者： コンプレツクス フルイツド システムズ,インコーポレーテツド
代理人 (1件)： 東島 隆治 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-516961
公開番号（公開出願番号）：特表平11-511900
出願日： 1995年11月14日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：

【要約】重合体薄膜に対する密着性を改善した基板を提供する方法が開示されている。本方法は、少なくとも1つのアルキルシリル部分と、反応可能な少なくとも1個の加水分解可能な基と、を有する少なくとも1種のオルガノシラン化合物を、基板と反応させて前記基板をシリル化することを包含している。この反応から加水分解可能な副産物が発生する場合、そのpHは約7以下である。

請求項（抜粋）：

重合体材料に対する密着性を改善したシリル化された基板を提供する方法であって、 少なくとも1つのアルキルシリル部分を有する少なくとも1種のオルガノシラン化合物と基板とを、前記基板をシリル化するために十分な条件の下で反応させることを包含し、 前記アルキルシリル部分が、ケイ素に結合された少なくとも1個の加水分解可能な脱離基を有しており、 前記加水分解可能な基が前記基板と反応してpHがおよそ7以下の副産物を生成できることを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/075 ,  G03F 7/085 ,  G03F 7/38 501

FI (4件)：

H01L 21/30 563 ,  G03F 7/075 ,  G03F 7/085 ,  G03F 7/38 501

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜の製造方法およびそれに用いる薄膜製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-006124   出願人：東レ株式会社
• レジストを塗布してなる金属又は半導体基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-256183   出願人：イーエムエム・インステイトゥート・フュア・ミクロテヒニーク・ゲーエムベーハー
• 特開平2-058062