特許

J-GLOBAL ID：200903060911641540

ハイブリッドEBセルとそれを使用した成膜材料蒸発方法

発明者： 柿本 浩一 ,  高橋 弘
出願人/特許権者： 株式会社エイコー・エンジニアリング
代理人 (1件)： 北條 和由
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-000392
公開番号（公開出願番号）：特開2005-194552
出願日： 2004年01月05日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】 ターゲットである成膜材料の加熱手段を見直すことで、電子線がターゲットである成膜材料に正確に焦点を合わせることが出来るようにし、それ故成膜材料を効率良く安定して蒸発することが可能で、高純度の半導体膜を形成することを可能とする。【解決手段】 ハイブリッドEBセルは、成膜材料11を収納する坩堝7と、この坩堝7の中の成膜材料11をその融点以下の温度に加熱するヒータ9と、この坩堝7の中の成膜材料11に向けて加速した電子を収束して発射する電子銃1とを有する。坩堝7の中に収納された成膜材料11をヒータ9で融点以下の温度に加熱しながら、電子銃1から前記坩堝7の中の成膜材料11に向けて加速した電子を収束して発射し、この電子のエネルギにより成膜材料11を加熱、溶融、蒸発してその蒸気を固体表面に向けて発射する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

成膜材料(11)を蒸発または昇華させて、固体の表面に向けて発射し、固体の表面に成膜材料(11)を凝着させるためのハイブリッドEBセルであって、成膜材料(11)を収納する坩堝(7)と、この坩堝(7)の中の成膜材料(11)をその融点以下の温度に加熱するヒータ(9)と、この坩堝(7)の中の成膜材料(11)に向けて加速した電子を収束して発射する電子銃(1)とを有することを特徴とするハイブリッドEBセル。

IPC (4件)：

C23C14/30 ,  C23C14/24 ,  H01L21/203 ,  H01L21/285

FI (4件)：

C23C14/30 A ,  C23C14/24 B ,  H01L21/203 M ,  H01L21/285 P

Fターム (16件)：

4K029BA35 ,  4K029BA50 ,  4K029DB13 ,  4K029DB18 ,  4K029DB21 ,  4M104BB01 ,  4M104BB16 ,  4M104DD34 ,  4M104DD35 ,  5F103AA04 ,  5F103BB02 ,  5F103DD03 ,  5F103DD16 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103RR10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-238955
  
• 分子線エピタキシー用分子線源ルツボ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-221986   出願人：信越化学工業株式会社
• 特開昭61-146790