特許
J-GLOBAL ID:200903045508764820
分子線エピタキシー用分子線源ルツボ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
好宮 幹夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-221986
公開番号(公開出願番号):特開平11-060375
出願日: 1997年08月04日
公開日(公表日): 1999年03月02日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 長時間操業をしてもルツボの内壁面から原料が這い上がったり、飛散した原料がルツボ上部に付着するのを抑制することができ、しかも分子線が安定して放出可能な熱分解窒化ホウ素ルツボを、簡単かつ低コストで提供し、分子線エピタキシー操業の安定化とエピタキシャル膜の品質向上をはかる。【解決手段】 分子線エピタキシー用分子線源ルツボおいて、その上部開口部にルツボ内径より小さい口径の孔を有する蓋、または、該蓋の孔にルツボの高さの2倍以下のノズルを設けて成るルツボ。
請求項(抜粋):
ルツボ上部開口部に、ルツボ内径より小さい口径の孔を有する蓋を設けたことを特徴とする分子線エピタキシー用分子線源ルツボ。
IPC (3件):
C30B 23/08
, C30B 29/42
, H01L 21/203
FI (3件):
C30B 23/08 M
, C30B 29/42
, H01L 21/203 M
引用特許:
審査官引用 (10件)
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分子線発生装置及び薄膜原料の供給方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-099292
出願人:株式会社日立製作所
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特開昭59-064594
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特開昭60-137896
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特開昭62-169321
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分子線源
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-304515
出願人:株式会社日立製作所
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低温用クヌ-ドセンセル
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-252111
出願人:八百隆文, 日新電機株式会社
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分子線結晶成長装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-232109
出願人:ソニー株式会社
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分子線セル
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-189729
出願人:日新電機株式会社
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分子線セル
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-232085
出願人:日新電機株式会社
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クラッキングセル
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-275027
出願人:日新電機株式会社
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