放射線検出素子アレイ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西岡義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-357932
公開番号（公開出願番号）：特開平11-183626
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【目的】大面積で、かつ、最適な成膜条件で作製される放射線有感層を有する放射線検出素子アレイを、低コストで提供する。【構成】表裏両面もしくは裏面のみに電極3を形成したSi等の硬質導電性平板1の表面上に、CdTe、CdZnTe、GaAs、HgI2 等の半絶縁性化合物半導体膜4を、CVD、もしくは、蒸着等の気相成膜法を用いて形成する。次に、前記半絶縁性化合物半導体膜上に、複数個の信号取り出し電極5を形成し、所定のサイズに切り出して放射線検出素子アレイチップ6とする。

請求項（抜粋）：

単一の共通電極と複数個の信号取り出し電極との間に設けられた放射線に有感な半導体層からなる放射線検出素子アレイにおいて、表裏両面もしくは裏面のみに電極を形成した硬質導電性平板を、その表面上に形成する化合物半導体膜からなる放射線有感半導体層の基盤とするとともに、バイアス供給用の共通電極として使用することを特徴とする放射線検出素子アレイ。

IPC (3件)：

G01T 1/24 , H01L 27/14 , H01L 31/09

FI (3件)：

G01T 1/24 , H01L 27/14 K , H01L 31/00 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-190285
特開平3-273687
特開昭64-077969

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