マイクロエレクトロニクス構造体用電子ビーム加工膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-503125
公開番号（公開出願番号）：特表平11-506872
出願日： 1996年06月04日
公開日（公表日）： 1999年06月15日
要約：

【要約】マイクロエレクトロニック用途に使用するための誘電膜でコートされた支持体を製造する方法であって、該コーテッド支持体表面を電子ビームの束に曝すことにより該膜が加工される方法。電子ビーム暴露により硬化された支持体は、優れた誘電特性、密度、均一性、熱安定性、及び酸素安定性を有する。

請求項（抜粋）：

支持体上に誘電性物質を硬化させる方法であって、 (a)前記支持体の表面に誘電性物質を適用すること;及び (b)前記誘電性物質を、該誘電性物質を膜に硬化するのに十分な条件下で電子ビーム照射に曝すことを含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/316 G , H01L 21/316 P , H01L 21/30 541 Z

引用特許：

審査官引用 (10件)

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