特許
J-GLOBAL ID：200903060974288638

イオン注入機用静電チャック

発明者：
都丸 一彦

都丸 一彦 について

, 
半田 隆一

半田 隆一 について

, 
米山 勉

米山 勉 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 滝田 清暉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-108415
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291680
出願日： 2000年04月10日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：
【要約】【課題】金型等からの剥離性に優れると共に、シリコンウェハを汚染することのない、イオン注入用シリコーンゴム製静電チャック【解決手段】金属基板上に、第1絶縁層、該第1絶縁層上に電極として形成された導電性パターン、及び該導電性パターン上に第2絶縁層が設けられているイオン注入機用静電チャック。少なくとも前記第2絶縁層は、下記(A)〜(D)成分を含有する熱伝導性シリコーンゴム組成物の硬化物からなることを特徴とする。(A)平均組成式がR1aSi0(4-a)/2で表されるオルガノポリシロキサン:10〜69.99体積%;但し、式中のR1は、同一または異種の非置換もしくは置換の1価炭化水素基であり、aは1.90〜2.05の正数である。(B)熱伝導性充填剤:30〜89.99体積%。(C)フッ素変性シリコーン界面活性剤:0.01〜10体積%;但し(A)十(B)十(C)=100体積%である。(D)硬化剤:(A)〜(C)からなる組成物を硬化させるのに必要な量。
請求項（抜粋）：
金属基板上に、第1絶縁層、該第1絶縁層上に電極として形成された導電性パターン、及び該導電性パターン上に第2絶縁層が設けられているイオン注入機用静電チャックにおいて、少なくとも第2絶縁層が、下記(A)〜(D)成分を含有する熱伝導性シリコーンゴム組成物の硬化物からなることを特徴とする、イオン注入機用静電チャック;(A)平均組成式がR1aSi0(4-a)/2で表されるオルガノポリシロキサン:10〜69.99体積%;但し、式中のR1は、同一または異種の非置換もしくは置換の1価炭化水素基であり、aは1.90〜2.05の正数である。(B)熱伝導性充填剤:30〜89.99体積%。(C)フッ素変性シリコーン界面活性剤:0.01〜10体積%;但し(A)十(B)十(C)=100体積%である。(D)硬化剤:(A)〜(C)からなる組成物を硬化させるのに必要な量。
IPC (6件)：
H01L 21/265 603 ,  B23Q 3/15 ,  C08J 5/18 CFH ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/68 ,  C08L 83:04
FI (6件)：
H01L 21/265 603 D ,  B23Q 3/15 D ,  C08J 5/18 CFH ,  H01J 37/317 B ,  H01L 21/68 R ,  C08L 83:04
Fターム (24件)：
3C016GA10 ,  4F071AA67 ,  4F071AB07 ,  4F071AB18 ,  4F071AB22 ,  4F071AB26 ,  4F071AB27 ,  4F071AC08 ,  4F071AE02 ,  4F071AE10 ,  4F071AE17 ,  4F071AF44 ,  4F071AH19 ,  4F071BB13 ,  4F071BC17 ,  5C034CC09 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031HA02 ,  5F031HA17 ,  5F031MA31 ,  5F031PA11 ,  5F031PA18 ,  5F031PA26
引用特許：
審査官引用 (2件)

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