特許
J-GLOBAL ID：200903060983545198
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-316101
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135668
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】多ピン化による半導体装置のサイズが大きくなるに伴い内部配線の長さが長くなることで自己インダクタンスが増大することを抑え相互インダクタンスの増加を防ぎクロストークノイズを低減する半導体装置の提供。【解決手段】内部配線6を複数の段からなる階段状とし、その階段状の各段の水平方向と垂直方向の長さの比をほぼ1:1にして、内部配線の実効インダクタンスを小さくすることで、相互インダクタンスも低減しクロストークノイズを低減する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板に形成される内部配線のステッチ部から外部端子までの内部配線構造を、複数の段から構成される階段状としたことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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