半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-293874
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109711
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】新規の配線化技術によって最下層の配線層を形成することにより、より平坦な層間絶縁膜を有し、多層配線化を更に可能にする、信頼性の高いトランジスタ部を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】半導体装置は、ゲート電極及びソース・ドレイン領域から成るトランジスタ部の下方に第1の配線層28を有することを特徴とする。また、半導体装置の製造方法は、(イ)第1のシリコン基板表面に金属層をパターニングして第1の配線層28を形成し、(ロ)該第1のシリコン基板表面に第2のシリコン基板10Aを貼り合わせ、(ハ)第1のシリコン基板の第1の配線層の形成されていない表面にトランジスタ部を形成する、各工程から少なくとも成る。

請求項（抜粋）：

ゲート電極及びソース・ドレイン領域から成るトランジスタ部の下方に第1の配線層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/76 , H01L 21/82

FI (2件)：

H01L 21/88 A , H01L 21/82 W

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-312869
特開昭48-079982
特開昭55-058543

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