特許

J-GLOBAL ID：200903061029136135

半導体記憶装置

発明者： 加藤 剛久
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-047968
公開番号（公開出願番号）：特開2005-303990
出願日： 2005年02月23日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】性能劣化の少ない安定した読み出し動作をし、集積度を向上させることが容易な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、データを保持する揮発性のラッチ回路SRAMと、データを保持する不揮発性の強誘電体容量回路NVCと、前記ラッチ回路SRAMと前記強誘電体容量回路NVCとを接続及び切断するスイッチ回路SWとを備え、前記スイッチ回路SWは、前記ラッチ回路SRAMと前記強誘電体容量回路NVCとの間でデータを入出力時のみ接続する。【選択図】図6A

請求項（抜粋）：

データを保持する揮発性のラッチ回路と、 データを保持する不揮発性の強誘電体容量回路と、 前記ラッチ回路と前記強誘電体容量回路とを接続及び切断するスイッチ回路と を備えることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H03K19/177 ,  G11C11/22 ,  G11C11/41

FI (3件)：

H03K19/177 ,  G11C11/22 501Q ,  G11C11/40 A

Fターム (9件)：

5B015KA08 ,  5B015KA10 ,  5B015QQ17 ,  5J042BA02 ,  5J042BA11 ,  5J042CA00 ,  5J042CA14 ,  5J042CA20 ,  5J042DA01

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 強誘電体容量を用いたシャドーRAMセル及び不揮発性メモリ装置並びにその制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-099534   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-367120
  
• 強誘電体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-059278   出願人：三菱電機株式会社
• プログラマブル論理回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-176601   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-366495
  

審査官引用 (4件)

• 特開平4-367120
  
• 強誘電体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-059278   出願人：三菱電機株式会社
• プログラマブル論理回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-176601   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-366495