特許

J-GLOBAL ID：200903061052626093

エッチング方法

発明者： 原島 啓一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-098331
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293487
出願日： 1995年04月24日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【目的】シリコン窒化膜に対して、シリコン酸化膜を選択的かつ異方的にドライエッチングする事を目的とする。【構成】CHF3 又はCF4 と水素の混合気体と、不活性ガス(Ar,Ne,Heのうち少なくとも一つ)との混合気体を用い、ドライエッチングをおこなう事により、シリコン窒化膜に対し、シリコン酸化膜を選択的かつ異方的にエッチングする。

請求項（抜粋）：

シリコン酸化膜を選択的に異方性エッチングするエッチング方法において、フッ素、炭素及び水素を含む化合物気体と不活性ガスとの混合ガスを反応ガスとして用いることを特徴とするエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-239723
  
• ドライエツチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-244394   出願人：ミツミ電機株式会社
• 特開平4-214625