特許
J-GLOBAL ID：200903061063394550

光電変換装置

発明者：
光地 哲伸

光地 哲伸 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-371336
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189441
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：
【要約】【課題】 画素サイズを縮小しても十分な飽和電荷量、受光面積を確保し、ノイズ電荷の混入のない高品質な信号を得る。【解決手段】 光電変換素子と少なくとも一つのトランジスタとからなる画素を複数有し、互いに隣接する画素の前記光電変換素子間に第一の素子分離領域401が設けられ、互いに隣接する画素又は一画素内の、光電変換素子とトランジスタとの間に第二の素子分離領域402が設けられている光電変換装置において、第一の素子分離領域401の実効的な幅が、第二の素子分離領域402の実効的な幅より狭い。
請求項（抜粋）：
光電変換素子と少なくとも一つのトランジスタとからなる画素を複数有し、互いに隣接する画素の前記光電変換素子間に第一の素子分離領域が設けられ、互いに隣接する画素間又は一画素内の、前記光電変換素子と前記トランジスタとの間に第二の素子分離領域が設けられている光電変換装置において、前記第一の素子分離領域の実効的な幅が、前記第二の素子分離領域の実効的な幅より狭いことを特徴とする光電変換装置。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10
FI (2件)：
H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A
Fターム (22件)：
4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CB14 ,  4M118DD09 ,  4M118FA06 ,  4M118FA25 ,  4M118FA26 ,  4M118FA28 ,  4M118FA29 ,  4M118GB11 ,  5F049MA02 ,  5F049NA05 ,  5F049NA19 ,  5F049NB05 ,  5F049RA04 ,  5F049RA06 ,  5F049RA08 ,  5F049SE17 ,  5F049UA20
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 固体撮像装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-070536   出願人：キヤノン株式会社
  • 撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-121390   出願人：キヤノン株式会社

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