特許

J-GLOBAL ID：200903023481450786

固体撮像装置及びその製造方法

発明者： 光地 哲伸 ,  櫻井 克仁 ,  上野 勇武 ,  小泉 徹 ,  樋山 拓己 ,  小川 勝久 ,  須川 成利
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-070536
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274443
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 実効開口率を確保するためにマイクロレンズを用い、さらに凸レンズと凹レンズとを組み合わせて開口率を向上することを課題とする。【解決手段】 半導体基板に形成された複数個の光電変換素子と、前記光電変換素子同士の間に層間膜を介して形成された導電膜と、前記光電変換素子及び前記導電膜の上に形成された第1の層間膜と、前記第1の層間膜の上に形成された第2の層間膜と、前記光電変換素子の上部に形成されたマイクロレンズとを備えた固体撮像装置において、前記光電変換素子の上に位置する第1の層間膜の屈折率が前記第2の層間膜の屈折率と異なることを特徴とする。また、前記第1の層間膜の屈折率が、前記第2の層間膜の屈折率より大きいことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された複数個の光電変換素子と、前記光電変換素子同士の間に層間膜を介して形成された導電膜と、前記光電変換素子及び前記導電膜の上に形成された第1の層間膜と、前記第1の層間膜の上に形成された第2の層間膜と、前記光電変換素子の上部に形成されたマイクロレンズとを備えた固体撮像装置において、前記光電変換素子の上に位置する第1の層間膜の屈折率が前記第2の層間膜の屈折率と異なることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 D ,  H04N 5/335 V

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平3-211769
  
• 固体撮像素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-214347   出願人：ソニー株式会社
• 固体撮像装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-241030   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (4件)

• 特開平3-211769
  
• 特開平3-211769
  
• 固体撮像素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-214347   出願人：ソニー株式会社
• 固体撮像装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-241030   出願人：シャープ株式会社