特許

J-GLOBAL ID：200903061073452516

スピン転移を利用する磁気素子の熱支援スイッチングを提供するための方法及びシステム

発明者： ホワイ、イーミン ,  パカラ、マヘンドラ
出願人/特許権者： グランディス インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-553307
公開番号（公開出願番号）：特表2007-523480
出願日： 2005年02月11日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：

磁気メモリに用い得る磁気素子を提供するための方法及びシステム。磁気素子は、固定層、非磁性スペーサ層、自由層、及び熱支援スイッチング層を含む。スペーサ層は、固定層と自由層との間に存在する。自由層は、スペーサ層と熱支援スイッチング層との間に存在する。熱支援スイッチング層は、自由層が切り替えられていない時に、好適には自由層との交換結合によって、自由層の熱的な安定性を改善する。自由層は、書き込み電流が磁気素子を通過する時、スピン転移を用いて切り替えられる。書き込み電流は、好適には、磁気素子を加熱して、熱支援スイッチング層によって提供された自由層の安定化を低減する。他の態様において、磁気素子は、第2自由層、第2非磁性スペーサ層、及び第2固定層を含む。熱支援スイッチング層は、静磁気的に結合された2つの自由層間に存在する。第2スペーサ層は、第2自由層と第2固定層との間に存在する。

請求項（抜粋）：

磁気素子であって、 固定層と、 非磁性であるスペーサ層と、 自由層であって、前記スペーサ層が前記固定層と該自由層との間に存在する、該自由層と、 熱支援スイッチング層であって、前記自由層が前記スペーサ層と該熱支援スイッチング層との間に存在し、前記自由層が切り替えられていない時、前記自由層の熱的な安定性を改善するための該熱支援スイッチング層と、を備え、 前記磁気素子は、書き込み電流が前記磁気素子を通過する時、前記自由層がスピン転移により切り替えられるように構成されている、磁気素子。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15

FI (3件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 110

Fターム (31件)：

4M119AA03 ,  4M119AA07 ,  4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119CC06 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD08 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  5F092AA08 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD24 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC13 ,  5F092BC46

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 書き込み禁止が選択可能な磁気メモリ及びその書き込み方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-529477   出願人：セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク