特許

J-GLOBAL ID：200903004768174939

書き込み禁止が選択可能な磁気メモリ及びその書き込み方法

発明者： ノジェル,ジーン-ピエール ,  ラノ,ローレン ,  コンルークス,ヤン
出願人/特許権者： セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク
代理人 (2件)： 河野 登夫 ,  河野 英仁
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-529477
公開番号（公開出願番号）：特表2005-503670
出願日： 2002年09月19日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】本発明は、書き込み禁止が選択可能な磁気メモリ及びその書き込み方法に関する。【解決手段】本発明の各メモリ素子は、固定磁化を有する固定層として知られている磁性層71、磁化を反転させることが可能な自由層として知られている磁性層73、及び自由層73と固定層71との間に配置されていて両層と接触している絶縁層72で構成される磁気トンネル接合70を備える。自由層73は希土類及び遷移金属を主体とする非晶質又はナノ結晶の合金からなり、この合金の磁気の配列はフェリ磁性型である。本発明のメモリの動作温度は、前記の合金の補償温度に近くなるように選択される。

請求項（抜粋）：

磁気トンネル接合(70)でそれぞれが形成されたメモリポイントを有し、 - 固定磁化を有するいわゆる固定磁性層(71)と、 - 磁化を反転させることが可能ないわゆる自由磁性層(73)と、 - 前記自由層(73)と前記固定層(71)との間に挟まれており、これらの2層それぞれと接触している絶縁層(72)と を備えた磁気メモリにおいて、 前記自由層(73)は希土類及び遷移金属を主体とする非晶質又はナノ結晶の合金からなり、該合金の磁気の配列がフェリ磁性型であり、前記合金の補償温度に近くなるように動作温度が選択されていることを特徴とする磁気メモリ。

IPC (6件)：

H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01F10/13 ,  H01F10/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

FI (8件)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  G11C11/15 140 ,  H01F10/13 ,  H01F10/16 ,  H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10

Fターム (5件)：

5E049AA04 ,  5E049AC01 ,  5E049BA06 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-001189   出願人：シャープ株式会社
• 磁気メモリデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-084554   出願人：名古屋大学長, 三洋電機株式会社
• 磁性薄膜メモリ素子および磁性薄膜メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-301614   出願人：山崎陽太郎, ティーディーケイ株式会社