特許
J-GLOBAL ID：200903061079993330

高周波半導体装置

発明者：
松野 典朗

松野 典朗 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-129297
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323658
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 低抵抗半導体層上に高抵抗半導体層を積層した基板上の受動素子に発生する、高抵抗半導体層の誘電損に起因する高周波電力の損失を抑制する。【解決手段】 単位MOSFET60が20個並列接続され、各ゲートフィンガはゲートバス配線62で纏められ、ボンディングパッド63,64から外部回路に接続される。各ドレインフィンガはドレインバス配線61で纏められてボンディングパッド65,66から外部回路に接続される。以上の各構成要素は1枚のSi基板上に作成されている。Si基板は、p型低抵抗Si層の上にp型高抵抗Si層を積層した2層構造になっている。ドレインバス配線61はアルミ配線で形成されており、Si基板との間にSiO2膜を挟んだ構造になっている。また、高抵抗のSi層のうち、ドレインバス配線61の直下の領域は低抵抗化されている。ゲートバス配線62、ボンディングパッド63〜66の直下の領域も低抵抗化されている。これにより高周波電力損失を低減できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された能動素子と、該半導体基板上に形成された前記能動素子と外部との接続用に設けた金属配線とパッドとからなる高周波半導体装置において、前記半導体基板は、低抵抗の半導体層の上に高抵抗の半導体層が積層され、前記金属配線は、前記半導体基板上に形成された誘電体層の上に形成され、前記金属配線を含む領域の前記高抵抗な半導体層は、低抵抗化されていることを特徴とする高周波半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/082 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78 ,  H03F 3/195
FI (7件)：
H01L 27/04 E ,  H03F 3/195 ,  H01L 21/90 V ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/08 101 B ,  H01L 27/08 102 Z ,  H01L 29/78 301 W
Fターム (76件)：
5F033HH08 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ79 ,  5F033QQ80 ,  5F033RR04 ,  5F033VV07 ,  5F033VV08 ,  5F033WW00 ,  5F033XX23 ,  5F038AC05 ,  5F038AV05 ,  5F038AV06 ,  5F038AZ04 ,  5F038BE07 ,  5F038BE10 ,  5F038BH03 ,  5F038CD13 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ12 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ20 ,  5F040DA01 ,  5F040DB01 ,  5F040DB04 ,  5F040DB07 ,  5F040DB09 ,  5F040DC01 ,  5F040EF03 ,  5F040EF18 ,  5F040EH05 ,  5F040EJ02 ,  5F040EM01 ,  5F040EM03 ,  5F048AA00 ,  5F048AA09 ,  5F048AB06 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA02 ,  5F048BA06 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BF02 ,  5F048BF04 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048CA17 ,  5F082AA04 ,  5F082AA06 ,  5F082AA10 ,  5F082BA18 ,  5F082BA47 ,  5F082BC01 ,  5F082BC09 ,  5F082BC13 ,  5F082BC14 ,  5F082DA03 ,  5F082EA09 ,  5F082FA13 ,  5J092AA04 ,  5J092AA41 ,  5J092CA36 ,  5J092FA15 ,  5J092FA16 ,  5J092GR07 ,  5J092HA09 ,  5J092KA68 ,  5J092MA01 ,  5J092MA08 ,  5J092QA03 ,  5J092SA14 ,  5J092TA01 ,  5J092VL08
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 半導体集積回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-023839   出願人：日本電気株式会社
  • 特開平4-033364

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