特許
J-GLOBAL ID：200903061081890859
プラズマ処理装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-260006
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124902
出願日： 1994年10月25日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】スループットをあげたドライエッチング装置を提供する。【構成】ドライエッチングにおいて、エッチング中に真空処理室内壁にバイアスをかけエッチングすることにより、クリーニング回数を低減する。内壁へのバイアスは、エッチング性能を損なわないように、処理物に印加されるバイアスと位相を180度ずらし、パルス化する。
請求項（抜粋）：
真空処理室内に少なくとも1種の処理ガスを導入する手段,前記処理ガスを真空室外に排気する排気装置および前記真空処理室内に高周波を印加できる電極を有し、前記真空処理室内に設置した被処理物を処理するドライエッチング装置において、前記真空処理室の内壁面に高周波と位相をずらして高周波を印加することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/027
, H01L 21/31
, H05H 1/46
H01L 21/302 B
, H01L 21/30 572 A
, H01L 21/302 F
