特許
J-GLOBAL ID:200903064529309841

プラズマ反応チャンバーをその場でマグネトロンクリーニングするための装置と方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大塚 康徳 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-511064
公開番号(公開出願番号):特表平10-506154
出願日: 1995年09月15日
公開日(公表日): 1998年06月16日
要約:
【要約】マイクロ波プラズマ発生装置内のパーティクル制御面から不要な堆積物を除去する方法と装置。環状マグネトロンプラズマ(80)が、200〜500Gの磁気誘導線を横切る形をしたパーティクル制御面(25)と接して形成される。マグネトロンプラズマは、装置のメインコイル(14)及び又はミラーコイル(28)に対する電流を増加させることによって、ホーン(24)上のパーティクル制御面とチャック(27)を横切って走査する。マグネトロンプラズマがパーティクル制御面を横切って移動するときに、プラズマは不要な堆積物と反応し、パーティクル制御面から離れて不要な堆積物を腐食する。
請求項(抜粋):
プラズマ発生装置のプラズマ反応チャンバー内にある残留物をその場で除去することが可能なプラズマ発生装置であって、前記プラズマ発生装置は、 プラズマで加工され得る試料をのせるための試料台を有する反応チャンバーと、 反応チャンバーへ気体を供給する気体供給手段と、 マグネトロンプラズマ発生が可能な磁界を前記反応チャンバー内で発生させるための少なくとも一つの電磁石コイルを含む電磁石手段と、 局部マグネトロンプラズマを発生させるのに十分な前記電磁石手段によって発生した磁気誘導線を横切る形を有する少なくとも一つのパーティクル制御面と、 前記パーティクル制御面に電気的バイアスを提供する手段と、 環状マグネトロンプラズマを前記パーティクル制御面と接するように形成し、前記環状マグネトロンプラズマを前記パーティクル制御面を横切るように一掃させて、前記パーティクル制御面から堆積物を除去できるような適切な量の直電流を前記電磁石手段に供給するための電流供給手段とを含むことを特徴とするプラズマ発生装置。
IPC (7件):
C23C 16/50 ,  C23C 16/44 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46
FI (7件):
C23C 16/50 ,  C23C 16/44 J ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 N
引用特許:
審査官引用 (4件)
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