特許
J-GLOBAL ID：200903061090311268

パターン形成方法および半導体装置の製造方法ならびに半導体装置

発明者：
野元 章裕

野元 章裕 について

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野本 和正

野本 和正 について

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福田 敏生

福田 敏生 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-106864
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270245
出願日： 2007年04月16日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：
【課題】第1版上に均一な膜厚の導電性薄膜を形成することが可能なパターン形成方法および半導体装置の製造方法ならびに半導体装置を提供する。【解決手段】第1版10上に、脂肪酸または脂肪族アミンにて表面修飾された導電性粒子と溶媒とを含む液組成物を塗布することで、導電性膜Dを形成する第1工程と、表面側に凹凸パターンを有する第2版20を、第1版10の導電性膜Dの形成面側に押圧し、第2版20の凸部20aの頂面に、導電性膜の不要なパターン(第1のパターン)を転写して除去することで、第1版10上に導電性パターンD’(第2のパターン)を形成する第2工程と、第1版10の導電性パターンD’の形成面側を、被転写基板の表面に押圧することで、被転写基板の表面に導電性パターンD’を転写する第3工程とを有することを特徴とするパターン形成方法および半導体装置の製造方法ならびに半導体装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1版上に、脂肪酸または脂肪族アミンにて表面修飾された導電性粒子と有機溶剤とを含む液組成物を塗布することで、導電性膜を形成する第1工程と、 表面側に凹凸パターンを有する第2版を、前記第1版の前記導電性膜の形成面側に押圧し、当該第2版の凸部の頂面に、前記導電性膜の第1のパターンを転写して除去することで、前記第1版上に当該第1のパターンを反転させた第2のパターンを形成する第2工程と、 前記第1版の前記第2のパターンの形成面側を、被転写基板の表面に押圧することで、当該被転写基板の表面に前記第2のパターンを転写する第3工程とを有する ことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (8件)：
H01L 21/288 ,  H01L 21/027 ,  H05K 3/12 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (8件)：
H01L21/288 Z ,  H01L21/30 502D ,  H05K3/12 630Z ,  H01L29/58 G ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617J
Fターム (40件)：
4M104AA09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104DD99 ,  5E343AA02 ,  5E343AA22 ,  5E343BB25 ,  5E343BB62 ,  5E343BB72 ,  5E343BB76 ,  5E343DD02 ,  5E343FF02 ,  5E343GG06 ,  5F046BA10 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110GG05 ,  5F110HK02 ,  5F110HK06 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ06
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 画像形成法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-217286   出願人：光村印刷株式会社
  • 導電性パターンの形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-097447   出願人：凸版印刷株式会社
審査官引用 (3件)

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