特許
J-GLOBAL ID：200903061098206323
電界効果型トランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-000062
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186257
出願日： 1995年01月04日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】【目的】 短チャネル効果を抑制するために、不純物の高濃度による低抵抗化と、浅い接合の形成を両立させる。【構成】 拡散層をチャネル側に浅く延長するエクステンション構造を有する電界効果型トランジスタにおいて、エクステンション領域10は、選択的にゲルマニウムもしくはゲルマニウムとシリコンの混晶により形成される。エクステンション領域10は、ソース・ドレイン拡散層6の形成後に形成される。ソース・ドレイン拡散層6は、エクステンション領域10の外側のシリコン基板1上に通常のプロセスで形成される。
請求項（抜粋）：
ソース・ドレイン高濃度不純物層からチャネル側へ向かって、基板表面に接して、かつソース・ドレインよりも浅い領域に、高濃度不純物層が延長されるエクステンション構造を持つ電界効果型トランジスタにおいて、延長された高濃度不純物層であるソース・ドレインエクステンションが、ゲルマニウムにより形成されるか、もしくはシリコンとゲルマニウムの混晶により形成されることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 29/786
H01L 29/78 301 S
, H01L 29/78 301 P
, H01L 29/78 616 V
, H01L 29/78 616 L
